G14CVD化学气相硅烷沉积炉间歇式回转炉

CVD气相沉积硅碳---一种新型的气相沉积硅碳，核心是通过低成本生产一种多孔碳骨架来储硅，并通过多孔碳内部的空隙来缓冲硅嵌锂过程中的体积膨胀，因此膨胀率低，循环。其中的碳骨架不仅制作成本低，本身也具备不错的储锂能力，加之碳骨架本身密度小质量轻，使得材料能量密度高。并且，CVD气相沉积硅所需生产流程短，设备少，理论成本低，因此被各家电芯厂称为***具终局意义的硅负极解决方案。气相沉积硅碳技术与传统硅负极完全截然不同，涉及到特的原材料、设备和工艺，具备的技术门槛。千乘资本对在这个领域拥有深厚积累的创业团队表示乐观，他们有望借助这一时机，以行业的势头为助力，开辟出一个崭新的硅基负极领域，实现更化的发展目标。